Page 33 - สถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์และระบบปฏิบัติการ
P. 33
โครงสร้างและการทำ�งานของหน่วยความจำ� 3-23
ภาพที่ 3.12 โครงสร้าง SRAM เซลที่เกบ็ ขอ้ มลู 1 บติ
ทม่ี า: William Stallings. (2009). Computer Organization and Architectur Designing For Performance. 8th ed., Prentice Hall
Upper Saddle River.
จากภาพที่ 3.12 SRAM เซล จะมี 4 ทรานซิสเตอร์ (transistor) คือ T1 T2 T3 T4 ในการจัดการมี
การเชื่อมโยงข้ามวงจรเพื่อสร้างสถานะตรรกะเสถียร (stable logic state) ดังนี้
- ในสถานะที่เป็น 1 จุด C1 จะมีสถานะสูง และ C2 มีสถานะที่ตํ่า ส่วนสถานะ T1 และ T4 จะ
ปิด โดยที่ T2 และ T3 จะเปิด
- ในสถานะที่เป็น 0 จุด C1 จะมีสถานะตํ่า และ C2 มีสถานะที่สูง ส่วนสถานะ T1 และ T4 จะ
เปิด โดยที่ T2 และ T3 จะปิด
ทั้งสองสถานะจะเสถียรจนกว่าจะมีกระแสไฟ (Direct Current: DC) ซึ่งแตกต่างกับ DRAM ไม่
จำ�เป็นต้องรีเฟรช (refresh) ในการเก็บรักษาข้อมูล
2) ไดนามคิ แรม (Dynamic Random Access Memory: DRAM) เป็นหน่วยความจำ�ที่สามารถเก็บข้อมูล
ได้ในระยะเวลาอันสั้น ถึงแม้จะมีไฟฟ้าเลี้ยงอยู่ก็ตามจึงจำ�เป็นต้องมีการเขียนข้อมูลซํ้าลงไปทุก ๆ ระยะเพื่อไม่ให้
ข้อมูลสูญหายไป สามารถเก็บข้อมูลได้จำ�นวนมาก ๆ หน่วยความจำ�แรมจะใช้กับข้อมูลที่สามารถมีการเปลี่ยนแปลง
ได้ระหว่างการทำ�งาน
DRAM (อ่านว่าดีแรม) ประกอบด้วยเซลเก็บข้อมูลที่หล่อเลี้ยงด้วยตัวเก็บประจุ (capacitor) การ
ปล่อยหรือไม่ปล่อยประจุจากตัวเก็บประจุสามารถแปลเป็นสองสถานะของเลขฐานสองคือ 1 หรือ 0 เนื่องด้วยตัวเก็บ
ประจุโดยธรรมชาติจะมีการปล่อยประจุไปเรื่อย ๆ ดังนั้น DRAM จำ�เป็นต้องมีการชาร์ต (charge) เพื่อเก็บรักษา
ข้อมูลไว้ คำ�ว่าแบบไดนามิคจึงหมายถึงแนวโน้มที่ตัวเก็บประจุจะมีการปล่อยประจุรั่วออกไปตลอดเวลาจึงจำ�เป็นต้อง
มีไฟเลี้ยงอย่างต่อเนื่อง ดังแสดงในภาพที่ 3.13
